ASMI « Terug naar discussie overzicht

ASM Onthult High-Speed ALD-proces

7 Posts

Omlaag ↓

[verwijderd] 11 december 2008 18:10

ASM Onthult High-Speed ALD-proces dat Doubles Throughput voor 45 nm High-k Gate Manufacturing

Pulsar ® al uitgevoerd met hoge snelheid HfO2 ALD-proces op grote IDM-sites

ALMERE, Nederland, december 11, 2008 - Verdere uitbreiding van haar leidende positie in de kritische depositie atomic layer (ALD) markt, ASM International NV (NASDAQ: ASMI en Euronext Amsterdam: ASM), heeft aangekondigd dat zij een gekwalificeerde high-speed ALD-proces dat een verdubbeling van de doorvoersnelheid van haar hafnium oxide (HfO2) films voor 45 nm high-k poorten in volume fabricage.

De nieuwe high-speed ALD-proces is ontworpen om te rijden op de ASM Pulsar proces module, en wordt bereikt op de bestaande reactor design. Verbeteringen zijn gerealiseerd door middel van eigen proces optimalisatie technieken. Het nieuwe proces is al uitgevoerd in de industrie wordt omgevingen klant op meerdere locaties, en is het bereiken van meer dan twee keer de deposities die geen negatieve invloed op de film-en prestatie-apparaat. Het proces is aangetoond dat deze rekbaar tot de 32nm-node met dezelfde productiviteit voordelen.

"De ALD-proces is wenselijk vanwege de uitstekende controle van processen, film eenvormigheid en zuiverheid," legde Glen Wilk, Product Manager voor Transistor Products bij ASM. "Door meer dan een verdubbeling van de depositie, kunnen we nu bereiken doorvoersnelheid voor 32 nm gate dielektrica die vergelijkbaar is met MOCVD depositie methoden, met behoud van ALD laag kwaliteit. De Pulsar ALD-reactor is opgericht als de marktleider voor hafnium gebaseerde high-k gate dielektrica, productiviteit en deze verbetering zal ons in staat stellen om dit leiderschap in de 22 nm node en daarbuiten. "

Over de Pulsar
ASM's Pulsar biedt geavanceerde 45 nm en 32 nm transistor vervaardigen door middel van haar deposito's ALD proces dat een atomaire laag per keer. Uitvoering van high-k films, zoals hafnium Oxide en Hafnium Silicaat (HfSiO), breidt gate transistor-technologie buiten 45nm omdat de hoge-k materialen hebben een veel betere isolerende eigenschappen dan siliciumoxide. ASM's high-k dielektrica proces, zoals geleverd door de Pulsar, maakt snellere en kleinere chips geschikt voor high performance servers en geavanceerde producten die een laag stroomverbruik, zoals laptops, PDA's en smart-phones. De Pulsar is actief in de productie op 45 nm, en met succes is aangetoond voor ALD in de 32 nm en 22 nm node. ASM's Pulsar 3000 werd ook geselecteerd als een 2008 Editor's Choice Beste Product winnaar door Semiconductor International.

Over ASM
ASM International NV en haar dochterondernemingen ontwerpen en de fabricage apparatuur en materialen die worden gebruikt voor de productie van halfgeleiders. Het bedrijf levert oplossingen voor de productie van wafer processing (Front-end segment) evenals montage en de verpakking (Back-end segment) door middel van faciliteiten in de Verenigde Staten, Europa, Japan en Azië. ASM International de gewone aandelen op NASDAQ trades (symbool ASMI) en de Euronext Amsterdam Stock Exchange (symbool ASM). Voor meer informatie, bezoek de website van ASMI op www.asm.com.
# # #
Safe Harbor Statement krachtens de Private Securities Litigation Reform Act van 1995: Alle zaken worden besproken in deze verklaring, met uitzondering van historische gegevens, zijn "forward-looking statements. Forward-looking statements risico's en onzekerheden zouden de werkelijke resultaten aanzienlijk kunnen afwijken van die in de forward-looking statements. Deze omvatten, maar zijn niet beperkt tot, de economische omstandigheden en ontwikkelingen in de halfgeleiderindustrie algemeen en de timing van de industrie specifiek cycli, valutaschommelingen, de timing van belangrijke bestellingen, acceptatie door de markt van nieuwe producten, concurrerende factoren, geschillen over intellectuele eigendom, aandeelhouder en andere kwesties, commerciële en economische ontwrichting als gevolg van natuurrampen, terroristische activiteiten, gewapende conflicten of politieke instabiliteit, epidemieën en andere risico's vermeld in de deponeringen van het Bedrijf van tijd tot tijd bij de Amerikaanse Securities and Exchange Commission, inclusief maar niet beperkt tot Is het zo dat de verslagen op Form 20-F and Form 6-K. The Company neemt geen enkele verplichting, noch van plan is met het bijwerken of herzien van forward-looking statements vanwege toekomstige ontwikkelingen

[verwijderd] 11 december 2008 18:10

ASM Unveils High-Speed ALD Process that Doubles Throughput for 45 nm High-k Gate Manufacturing

Pulsar® Already Running High-Speed HfO2 ALD Process at Major IDM Sites

ALMERE, THE NETHERLANDS, December 11, 2008 - Further extending its leadership in the critical atomic layer deposition (ALD) market, ASM International N.V. (NASDAQ: ASMI and Euronext Amsterdam: ASM), announced that it has qualified a high-speed ALD process that doubles the throughput of its hafnium oxide (HfO2) films for 45 nm high-k gates in volume manufacturing.

The new high-speed ALD process is designed to run on ASM's Pulsar process module, and is achieved on the existing reactor design. Improvements are realized through proprietary process optimization techniques. The new process is already running in manufacturing environments at multiple customer sites, and is achieving more than twice the deposition rates with no negative impact on film and device performance. The process is proven to be extendible to the 32nm node with the same productivity advantages.

"The ALD process is desirable because of its excellent process control, film uniformity and purity," explained Glen Wilk, Product Manager for Transistor Products at ASM. "By more than doubling the deposition rates, we can now achieve throughput for 32 nm gate dielectrics that is comparable to MOCVD deposition methods, while retaining ALD layer quality. The Pulsar ALD reactor is established as the industry leader for hafnium based high-k gate dielectrics, and this productivity improvement will allow us to extend that leadership into the 22 nm node and beyond."

About the Pulsar
ASM's Pulsar enables advanced 45 nm and 32 nm transistor manufacturing through its ALD process that deposits one atomic layer at a time. Implementing high-k films, such as Hafnium Oxide and Hafnium Silicate (HfSiO), extends transistor gate technology beyond 45nm because the high-k materials have much better insulating properties than silicon oxide. ASM's high-k dielectrics process, as delivered by the Pulsar, enables faster and smaller chips suited for high performance servers and advanced products that require low power such as laptops, PDAs and smart-phones. The Pulsar is actively in production at 45 nm and has been successfully demonstrated for ALD in the 32 nm and 22 nm nodes. ASM's Pulsar 3000 was also selected as a 2008 Editor's Choice Best Product winner by Semiconductor International.

About ASM
ASM International N.V. and its subsidiaries design and manufacture equipment and materials used to produce semiconductor devices. The company provides production solutions for wafer processing (Front-end segment) as well as assembly and packaging (Back-end segment) through facilities in the United States, Europe, Japan and Asia. ASM International's common stock trades on NASDAQ (symbol ASMI) and the Euronext Amsterdam Stock Exchange (symbol ASM). For more information, visit ASMI's web site at www.asm.com.
# # #
Safe Harbor Statement under the U.S. Private Securities Litigation Reform Act of 1995: All matters discussed in this statement, except for any historical data, are forward-looking statements. Forward-looking statements involve risks and uncertainties that could cause actual results to differ materially from those in the forward-looking statements. These include, but are not limited to, economic conditions and trends in the semiconductor industry generally and the timing of the industry cycles specifically, currency fluctuations, the timing of significant orders, market acceptance of new products, competitive factors, litigation involving intellectual property, shareholder and other issues, commercial and economic disruption due to natural disasters, terrorist activity, armed conflict or political instability, epidemics and other risks indicated in the Company's filings from time to time with the U.S. Securities and Exchange Commission, including, but not limited to, the Company's reports on Form 20-F and Form 6-K. The Company assumes no obligation nor intends to update or revise any forward-looking statements to reflect future developments

[verwijderd] 12 december 2008 09:24

Een dergelijk prachtig bericht lijkt me een prima reden de koers in de opening in elkaar te trappen, -7,5% nu op € 5,54, met slechts 12k aan volume.

Waarom wilde AMAT front-end ook al weer zo graag kopen?
Ik heb door deze contraire koersreactie nog meer het idee dat ASMI goud in handen heeft. Goud waarvoor AMAT voor kort nog 800 miljoen dollar wilde bieden, maar dat desondanks nu 160 miljoen euro negatief is geprijsd....

[verwijderd] 12 december 2008 09:46

Wat ik daaraan ook opvallend vind is dat ASML nu met 11,85 minder dan een procent onder haar slot in New York zit, terwijl ASMI daar met nu 5,60 5% onder koerst.
Logisch toch.

[verwijderd] 12 december 2008 13:30

quote:
lexpen schreef:
Een dergelijk prachtig bericht lijkt me een prima reden de koers in de opening in elkaar te trappen, -7,5% nu op € 5,54, met slechts 12k aan volume.

Waarom wilde AMAT front-end ook al weer zo graag kopen?
Ik heb door deze contraire koersreactie nog meer het idee dat ASMI goud in handen heeft. Goud waarvoor AMAT voor kort nog 800 miljoen dollar wilde bieden, maar dat desondanks nu 160 miljoen euro negatief is geprijsd....

heeft het e.e.a met elkaar te maken,

Intel Completes Next Generation, 32nm Process Development Phase

SANTA CLARA, Calif., Dec. 9, 2008 - Intel Corporation has completed the development phase of its next-generation manufacturing process that further shrinks chip circuitry to 32 nanometers (a billionth of a meter). The company is on track for production readiness of this future generation using even more energy-efficient, denser and higher performing transistors in the fourth quarter of 2009.

Intel will provide a multitude of technical details around the 32nm process technology along with several other topics during presentations at the International Electron Devices meeting (IEDM) next week in San Francisco. Finishing the development phase for the company's 32nm process technology and production readiness in this timeframe means that Intel remains on pace with its ambitious product and manufacturing cadence referred to as the company's "tick-tock" strategy.

That plan revolves around introducing an entirely new processor microarchitecture alternating with a cutting edge manufacturing process about every 12 months, an effort unmatched in the industry. Producing 32nm chips next year would mark the fourth consecutive year Intel has met its goal.

ischav2 12 december 2008 16:47

Dat zijn toch prachtige berichten. Geeft mij een goed gevoel en behoud mijn overwogen positie in ASMI. Wanneer mag de koers omhoog?

[verwijderd] 16 december 2008 12:55

gaat ASMI ons morgen toch nog leuk verrassen met een (ver)nieuwde samenwerking met Intel,
op de International Electron Devices Meeting (IEDM).

want ook Intel zegt,

Op de International Electron Meeting (IEDM), een conferentie in San Francisco, geeft het bedrijf volgende week meer bijzonderheden over zijn plannen met 32 nm. In andere lezingen gaan Intel-technici onder meer in op een energiezuinige ‘systeem op een chip’-variant van zijn huidige 45 nm-processors, op nieuwe vindingen om de performance van 45 nm-chips verder te verbeteren en op de vooruitgang die is geboekt met het ontwikkelen van fotonische componenten.

7 Posts

Aantal posts per pagina: 20 50 100 | Omhoog ↑

Meedoen aan de discussie?

Word nu gratis lid of log in met uw e-mailadres en wachtwoord.

Direct naar Forum

Detail

Vertraagd	28 mrt 2025 17:37
Koers	431,600
Verschil	0,000 (0,00%)
Hoog	439,600
Laag	426,500
Volume	177.225
Volume gemiddeld	173.501
Volume gisteren	177.225

ASMI nieuws meer

29 mrt	Tech onder druk in moeizame week op D...
28 mrt	'TSMC en Intel schakelen terug met hu...
12 mrt	Europese landen starten samenwerking ...
09 mrt	ArcelorMittal, Air France-KLM en bank...
03 mrt	Video: beursexperts somber gestemd vo...
02 mrt	Experts somber gestemd voor maart maa...	8
27 feb	Bank of America verhoogt koersdoel ASMI
27 feb	Beursblik: Jefferies verlaagt koersdo...
26 feb	'Gemengd rapport ASMI'
26 feb	Aandeel ASMPT hard omlaag